mos级联电路分析（mos电路原理）

帮我分析下这个mos管电路,当DO_Carera分别是0V和3.3V时候,门极电压是多...

1、当DO-carera 为3V时候，Q92导通，Dout92为低电平。Q94截止。

2、你图上是双极性晶体管，按你说条件算它MOS型晶体管。

3、Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

这个驱动mos管的电路图,我这样分析对吗?请分析判断下

逻辑正确，还稍有点问题：Q1截止时，如果没有后面的Q2，则RR3会将电压平分；不过这里Q2基极电压受BE结正向压降限制，不会是65V了，而是约为0.7V。

这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

电路分析关于MOS电路,请问C1短路时为什么会导致截止?

1、MOS管内部短路原因可能包括以下几种：负压过大，过压击穿，过流导热，过热融化，恶劣环境等。这些因素都可能损伤MOS管内部结构，从而导致内部短路。

2、饱和后电流不在增加，此时主线圈有一个反电动势（上正下负），同理反馈线圈也感应一个反向的电动势（上正下负），此电势通过C1加到三极管的b极，使得三极管很快进入截止状态。这样反复下去，电路起振并一直工作下去。

3、在负载短路的情况下，电路中的电流会急剧增大，这会导致器件（例如MOS管）承受的电流过大，超过其额定值，从而可能导致器件烧毁或损坏。

4、当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。当Vc较高时，MOS管的通道内的电流较大，电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。

5、两个三极管在控制信号低时导通，MOS管栅极电荷通过二极管、10欧姆和100欧姆电阻快速泄放，达到使MOS管快速截止的目的；控制信号高电平时，两三极管都截止，信号通过二极管和7电阻加到MOS管栅极，控制MOS管导通。

6、你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

求高手分析下这个mos管驱动电路的原理,主要讲解下两个电阻的选型_百度...

1、这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

2、MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。

3、这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

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